激光与光电子学进展, 2003, 40 (2): 10, 网络出版: 2006-06-27  

肖特基二极管中磁场的超快产生

作者单位
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
摘要
为了发展未来的磁数据存储技术,产生局部的超快磁场是根本.迄今为止,将电流脉冲注入到微型线圈和微型带状线中[1~6],以及用高能电子束[7]已实现亚纳秒磁场状态的激发.已提出通过全金属结的自旋极化电流局部注入[8,9]做磁开关元件的有效方法,而且似乎已获得验证[10~13].在混合型铁磁半导体结构中已观测到自旋注入[14,15].这里介绍在这种混合结构中几种产生局部超快磁场的方案,其基本元件是用聚焦约150fs激光脉冲光抽运的肖特基二极管.激光脉冲在半导体-金属结产生电流,转而在平面内产生磁场.这种方案结合了局部电流注入技术[11~13,16]和在肖特基势垒上产生快速电流.主要特点包括能在样品平面上沿任何方向快速产生局部场,能通过许多磁元件扫描该磁场,以及能以二极管偏压调谐磁场幅度.
Abstract

傅恩生. 肖特基二极管中磁场的超快产生[J]. 激光与光电子学进展, 2003, 40(2): 10. 傅恩生. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2003, 40(2): 10.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!