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CCD在fs激光辐照下的损伤研究

Research on femtosecond laser induced damage to CCD

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摘要

用脉宽为60 fs、波长为800nm的fs激光辐照电荷耦合器件,研究了电荷耦合器件在fs激光作用下的失效问题.实验得到fs激光作用下电荷耦合器件的失效阈值为4.22×10-3J/cm2.这比ns激光作用下电荷耦合器件的损伤阈值低2~3个量级.对该器件进行显微观测,在光敏元上没有发现损伤,但在器件的栅极上发现了明显的激光引起的损伤痕迹.

Abstract

The failure of charge coupled devices (CCD ) irradiated by 800nm fs laser with pulse duration of 60 fs was studied.The result shows that the failure threshold of CCD irradiated by fs laser is 4.22×10-3 J/cm2. and it is 2~3 order lower than the failare threshold of CCD irradiated by ns laser. According to the micro-analysis of CCD, it is found that the damage does not take place at the light activated elements but at the grid electrode of the device.

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补充资料

中图分类号:TN249;TQ171

所属栏目:高功率激光与光学

基金项目:国家863计划项目资助课题

收稿日期:2004-10-20

修改稿日期:2004-12-28

网络出版日期:2005-04-15

作者单位    点击查看

江继军:四川大学电子信息学院,四川,成都,610064中国工程物理研究院流体物理研究所,四川,绵阳,621900
罗福:中国工程物理研究院流体物理研究所,四川,绵阳,621900
陈建国:四川大学电子信息学院,四川,成都,610064

备注:江继军(1979-),男,福建龙岩石人,硕士研究生,从事光电器件的激光辐照效应研究;绵阳919-113信箱.

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引用该论文

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江继军,罗福,陈建国. CCD在fs激光辐照下的损伤研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(4): 515-517

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