红外与毫米波学报, 2005, 24 (1): 61, 网络出版: 2006-05-10   

980nm大功率垂直腔底发射激光器

980nm HIGH POWER BOTTOM EMITTING VCSELS
作者单位
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033
2 中国科学院研究生院,北京,100039
3 中国科学院物理研究所,北京,100080
摘要
报道980nm大功率底发射垂直腔面发射激光器的结构、研制及器件的阈值电流、输出功率和光谱特性.在室温(24℃)下,5A连续电流工作时,出光孔径400μm的器件激射波长为984.1nm,输出功率达到1.42W,是目前所能见到报道中最高的.研究了出光孔径600μm的器件在连续工作时,激射波长、光谱半高宽随注入电流的变化以及在重复频率100Hz,脉冲宽度50~1000μs条件下的输出功率、效率与注入电流的关系.
Abstract
The structure design and fabrication process of 980nm high power vertical-cavity surface-emitting laser diodes (VCSELs) were reported. The threshold current, output power and spectrum characteristics were investigated. An optical output power as high as 1.42W for a 400μm diameter device was achieved at room temperature. To our knowledge, this is the highest record for a single device up to now. The dependence of the CW emitting wavelength and FWHM of spectrum of a 600μm diameter device on injection current indicated the heating effects in the active region. The output power performance was further characterized by using pulse operation with pulse width from 50~1000μs.

金珍花, 孙艳芳, 宁永强, 晏长岭, 秦莉, 刘云, 套格套, 王立军, 崔大复, 李惠青, 许祖彦. 980nm大功率垂直腔底发射激光器[J]. 红外与毫米波学报, 2005, 24(1): 61. 金珍花, 孙艳芳, 宁永强, 晏长岭, 秦莉, 刘云, 套格套, 王立军, 崔大复, 李惠青, 许祖彦. 980nm HIGH POWER BOTTOM EMITTING VCSELS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2005, 24(1): 61.

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