红外与毫米波学报, 2001, 20 (1): 41, 网络出版: 2006-05-10  

InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究

INVESTIGATION ON InGaAs/InAlAs QUANTUM CASCADE LASERS ZHANG Quang-Sheng(National Integrated
作者单位
1 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083
2 中国科学院半导体研究所,半导体材料开放实验室,北京,100083
3 Gao
4 Physics Departimet, Lancaster University, UK
摘要
简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性.该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0.5A,相应的阈值电流密度为5KA/cm2.
Abstract
The preparation and main characteristics of the InGaAs/InAlAs quantum cascade laser were given. The device has a reinforced ridge waveguide structure. The threshold current obtained at 80K is about 0.5A, an d the corresponding threshold current density is about 5kA/cm2.

张权生, 刘峰奇, 张永照, 王占国, Honghai, A.Krier. InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究[J]. 红外与毫米波学报, 2001, 20(1): 41. 张权生, 刘峰奇, 张永照, 王占国, Honghai, A.Krier. INVESTIGATION ON InGaAs/InAlAs QUANTUM CASCADE LASERS ZHANG Quang-Sheng(National Integrated[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2001, 20(1): 41.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!