量子电子学报, 2001, 18 (2): 103, 网络出版: 2006-05-15   

LD端面泵浦固体激光器理论在测量Nd:YVO4晶体有效受激发射截面中的应用

Measuring Effective Stimulated Emission Cross-sections of Nd:YVO4 Crystals by the Theory of LD End-Dumped Solid-state Lasers Wang Zhengping(State Key Laboratory of Crystal
作者单位
山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
摘要
对四种掺杂浓度的Nd:YVO4晶体进行了激光性质的研究和对比.从LD端面泵浦固体激光器的理论出发,结合实验数据计算了相应晶体的有效受激发射截面σe.结果表明,随Nd<sup>3+</sup>浓度的提高,Nd:YVO<sub>4</sub>晶体的有效受激发射截面σ<sub>e</sub>逐渐增大,上能级寿命г<sub>e</sub>不断减小,两者的乘积在2at.%附近达到最大值.
Abstract
The theory of LDend-pumped solid-state lasers is analyzed, and a method that measures the effectivestimulated emission cross-section σe of laser crystal is ascertained. We compare the threshold andslope efficiency of four Nd:YVO<sub>4</sub>crystals which have different doping levels,and calculate the σeof these crystals with upper-level life-times that have measured by us. Our results showthat the 1.9at% Nd:YVO<sub>4</sub>crystal has a σeTe of 18.3 μscm<sup>2</sup>which is largest in all the four samples.

王正平, 孙洵, 许心光, 孙连科, 张少军, 孟宪林, 程瑞平, 邵宗书. LD端面泵浦固体激光器理论在测量Nd:YVO4晶体有效受激发射截面中的应用[J]. 量子电子学报, 2001, 18(2): 103. 王正平, 孙洵, 许心光, 孙连科, 张少军, 孟宪林, 程瑞平, 邵宗书. Measuring Effective Stimulated Emission Cross-sections of Nd:YVO4 Crystals by the Theory of LD End-Dumped Solid-state Lasers Wang Zhengping(State Key Laboratory of Crystal[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2001, 18(2): 103.

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