光学学报, 2006, 26 (6): 918, 网络出版: 2006-06-13   

YVO4晶体的高效受激拉曼散射

Efficient Stimulated Raman Scattering of YVO4 Crystal
作者单位
山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南 250100
摘要
报道了YVO4晶体在532 nm、30 ps脉冲下的的高效受激拉曼散射。采用腔外单次通过方式测量了不同长度YVO4晶体1阶斯托克斯受激拉曼散射的阈值,并得到该晶体的稳态增益系数为16.0±0.5 cm/GW。实验中观察到2阶斯托克斯线(558.6 nm、587.8 nm)和1阶反斯托克斯线(508.0 nm),受激拉曼散射的整体转换效率高于50%。
Abstract
The stimulated Raman scattering (SRS) of 532 nm, 30 ps pulse was investigated in YVO4 crystal samples. In an external single-pass configuration, the SRS thresholds for the first Stokes line were measured for different crystal lengths, and the steady-state gain coefficient was calculated to be 16.0±0.5 cm/GW. In this experiment, the second Stokes line (558.6 nm, 587.8 nm) as well as the first anti-Stokes line (508.0 nm) was also observed. The total conversion efficiency of SRS was higher than 50%.

胡大伟, 于浩海, 王正平, 张怀金, 许心光, 王继扬, 邵宗书. YVO4晶体的高效受激拉曼散射[J]. 光学学报, 2006, 26(6): 918. 胡大伟, 于浩海, 王正平, 张怀金, 许心光, 王继扬, 邵宗书. Efficient Stimulated Raman Scattering of YVO4 Crystal[J]. Acta Optica Sinica, 2006, 26(6): 918.

本文已被 7 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!