强激光与粒子束, 2006, 18 (4): 689, 网络出版: 2006-10-19
双极型晶体管损坏与强电磁脉冲注入位置的关系
Damage of bipolar junction transistor under electromagnetic pulse injected from different electrode
摘要
利用时域有限差分法,对双极型晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的瞬态响应进行了2维数值模拟,研究了电磁脉冲从不同极板注入时BJT的响应情况,根据温度分布的集中程度分析了发生烧毁的难易程度.模拟得出:发射极注入最容易导致烧毁,集电极注入次之,基极注入相对不易导致烧毁;发射极注入烧毁所消耗能量随着脉冲电压上升而下降,到30 V以后基本与电压的升高无关,集电极注入烧毁所消耗的能量则随着电压上升而上升,到100 V以后由于BE结上热点的出现而开始下降.
Abstract
周怀安, 杜正伟, 龚克. 双极型晶体管损坏与强电磁脉冲注入位置的关系[J]. 强激光与粒子束, 2006, 18(4): 689. 周怀安, 杜正伟, 龚克. Damage of bipolar junction transistor under electromagnetic pulse injected from different electrode[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2006, 18(4): 689.
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