红外与激光工程, 2006, 35 (3): 276, 网络出版: 2006-10-20
GaN基紫外探测器及其研究进展
GaN based ultraviolet detectors and its recent development
摘要
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等.最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍.
Abstract
李向阳, 许金通, 汤英文, 李雪, 张燕, 龚海梅, 赵德刚, 杨辉. GaN基紫外探测器及其研究进展[J]. 红外与激光工程, 2006, 35(3): 276. 李向阳, 许金通, 汤英文, 李雪, 张燕, 龚海梅, 赵德刚, 杨辉. GaN based ultraviolet detectors and its recent development[J]. Infrared and Laser Engineering, 2006, 35(3): 276.
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