红外与激光工程, 2006, 35 (3): 289, 网络出版: 2006-10-20
长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性
Reliability of long-wavelength PC HgCdTe IR detectors
摘要
从真空热浸和电流冲击两个方面对碲镉汞红外探测器进行了研究.真空热浸在星载红外探测器中是十分重要的一项试验,通过研究得到大面积甚长波探测器芯片的耐真空热浸温度为85℃、95℃下39 h的热浸会降低探测器的性能;在电流冲击的实验中,得出低温下探测器芯片耐冲击能力低于室温下的探测器芯片,低温下40 mA的脉冲电流会降低其性能,而室温下相应的脉冲电流为70mA.粘接胶的热导率和厚度是影响耐冲击能力的主要因素.
Abstract
刘大福, 吴礼刚, 徐国森, 龚海梅. 长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性[J]. 红外与激光工程, 2006, 35(3): 289. 刘大福, 吴礼刚, 徐国森, 龚海梅. Reliability of long-wavelength PC HgCdTe IR detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2006, 35(3): 289.
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