光电工程, 2006, 33 (3): 101, 网络出版: 2007-11-14  

激光剥离Al2O3/GaN中GaN材料温度场的模拟

Temperature field simulation of GaN material during Al2O3/GaN laser lift-off
作者单位
北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022
摘要
对激光剥离Al2O3/GaN技术,建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型.计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时,GaN外延层内的温度场分布,由此得到激光剥离的阈值条件.采用紫外KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,样品表面显微镜和端面扫描电镜(SEM)测试照片说明,计算结果与实验现象相符. 进一步分析表明,脉冲激光的能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数,适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制在100nm以内,实现高效低损伤激光剥离.
Abstract

王婷, 郭霞, 刘斌, 沈光地. 激光剥离Al2O3/GaN中GaN材料温度场的模拟[J]. 光电工程, 2006, 33(3): 101. 王婷, 郭霞, 刘斌, 沈光地. Temperature field simulation of GaN material during Al2O3/GaN laser lift-off[J]. Opto-Electronic Engineering, 2006, 33(3): 101.

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