光学 精密工程, 2004, 12 (5): 449, 网络出版: 2006-11-03   

高功率底发射VCSELs的制作与特性研究

作者单位
1 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033
2 中国科学院,研究生院,北京,100039
3 中国科学院,物理所,北京,100080
摘要
研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器, 并分析了器件特性.通过增加有源区面积, 改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复合HfO 2作增透膜等方法,提高了激光器输出功率.分析了最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系.结果表明:有源区直径分别为500μm和600μm的单管, 室温下均达到连续输出功率 1.95 W ,这也是目前国际上所实现的单管室温连续输出最高功率; 实验所得最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系与理论计算所得结果一致.并特别讨论了直径200 μm的器件的近场和远场光强分布,获得单横模工作.
Abstract

孙艳芳, 金珍花, 宁永强, 秦莉, 晏长岭, 路国光, 套格套, 刘云, 王立军, 崔大复, 李惠青, 许祖彦. 高功率底发射VCSELs的制作与特性研究[J]. 光学 精密工程, 2004, 12(5): 449. 孙艳芳, 金珍花, 宁永强, 秦莉, 晏长岭, 路国光, 套格套, 刘云, 王立军, 崔大复, 李惠青, 许祖彦. [J]. Optics and Precision Engineering, 2004, 12(5): 449.

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