半导体光电, 2014, 35 (3): 543, 网络出版: 2014-06-24   

InGaAs近红外相机成像技术研究

Study on Imaging Technology of InGaAs Near-infrared Camera
作者单位
1 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
2 重庆光电技术研究所, 重庆 40006
3 西南计算机有限责任公司, 重庆 4000600
4 西华师范大学 物理与电子信息学院, 四川 南充 637009
摘要
论述了近红外成像原理及优点, 探讨了InGaAs近红外相机组件的核心器件——近红外探测器及其探测器驱动电路、信号处理电路和接口电路等电路组成, 阐述了通信流程和疵点补偿方法, 通过成像效果对比, 详细分析了红外相机、可见光相机和InGaAs近红外相机各自的成像特点, 指出近红外相机作为可见光相机和红外相机的补充, 在**和民用上有着广泛的应用。
Abstract
The principles and advantages of near-infrared (NIR) imaging technology are presented. Then the components of InGaAs NIR camera, including InGaAs detector, driving circuit, signal processing circuit and the interface circuit, are discussed. Meanwhile, the communication process and the methods of defect compensation are explained. By comparing the differences of the IR cameras, visible light camera and the InGaAs cameras, the excellent adaptability and wide applications of InGaAs cameras in military and civilian fields are indicated.

杨寸明, 卢杰, 温中流, 柴智, 邹文辉. InGaAs近红外相机成像技术研究[J]. 半导体光电, 2014, 35(3): 543. YANG Cunming, LU Jie, WEN Zhongliu, CHAI Zhi, ZOU Wenhui. Study on Imaging Technology of InGaAs Near-infrared Camera[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2014, 35(3): 543.

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