激光与光电子学进展, 2007, 44 (2): 29, 网络出版: 2007-02-26  

Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究

作者单位
1 山东大学物理与微电子学院, 济南 250100
2 复旦大学光科学与工程系, 上海 200433
摘要
研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱, 发现通过调制样品成分和退火处理, 可以大幅度调制极向克尔谱。退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强, 克尔角最大值达到0.72°, 这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系。
Abstract

张云鹏, 颜世申, 陈延学, 刘国磊, 梅良模, 王松有, 陈良尧. Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究[J]. 激光与光电子学进展, 2007, 44(2): 29. 张云鹏, 颜世申, 陈延学, 刘国磊, 梅良模, 王松有, 陈良尧. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2007, 44(2): 29.

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