激光与光电子学进展, 1994, 31 (2): 34, 网络出版: 2007-08-17
在GaAs上沉积氧化物缓总层利用该层开发强介质薄膜
摘要
Abstract
邹意会, 张荣康. 在GaAs上沉积氧化物缓总层利用该层开发强介质薄膜[J]. 激光与光电子学进展, 1994, 31(2): 34. 邹意会, 张荣康. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1994, 31(2): 34.
邹意会, 张荣康. 在GaAs上沉积氧化物缓总层利用该层开发强介质薄膜[J]. 激光与光电子学进展, 1994, 31(2): 34. 邹意会, 张荣康. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1994, 31(2): 34.