光子学报, 2007, 36 (4): 595, 网络出版: 2007-09-17
HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究
Effects of Boron Implanted Dose on the Diffusion Length of Minority Carriers in HgCdTe n-on-p Junction
摘要
报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小.
Abstract
陈贵宾, 全知觉, 王少伟, 陆卫. HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究[J]. 光子学报, 2007, 36(4): 595. 陈贵宾, 全知觉, 王少伟, 陆卫. Effects of Boron Implanted Dose on the Diffusion Length of Minority Carriers in HgCdTe n-on-p Junction[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2007, 36(4): 595.
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