光子学报, 2007, 36 (4): 715, 网络出版: 2007-09-17
离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜
Preparation of Ge1-xCx Thin Film by e-gun Evaporation Assisted with Ion Source
摘要
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14～3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度.
Abstract
王彤彤, 高劲松, 王笑夷, 宋琦, 郑宣明, 徐颖, 陈红, 申振峰. 离子源辅助电子枪蒸发制备Ge1-xCx薄膜[J]. 光子学报, 2007, 36(4): 715. 王彤彤, 高劲松, 王笑夷, 宋琦, 郑宣明, 徐颖, 陈红, 申振峰. Preparation of Ge1-xCx Thin Film by e-gun Evaporation Assisted with Ion Source[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2007, 36(4): 715.
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