强激光与粒子束, 2007, 19 (4): 529, 网络出版: 2007-09-17
大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究
Current expansion of high-power diode laser bars
摘要
利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列.隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响.通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993 μm.
Abstract
张楠, 崔碧峰, 刘斌, 邹德恕, 李建军, 高国, 张蕾, 王智群, 沈光地. 大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(4): 529. 张楠, 崔碧峰, 刘斌, 邹德恕, 李建军, 高国, 张蕾, 王智群, 沈光地. Current expansion of high-power diode laser bars[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19(4): 529.
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