激光技术, 2004, 28 (1): 29, 网络出版: 2007-09-18
GaN基外延膜的激光剥离和InGaN LD外延膜的解理
Thin film GaN-based membranes by laser lift-off and cleaved InGaN LD facet
摘要
利用波长为248nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离.对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜(3μm)和InGaN LD外延膜(5μm)实现了大面积剥离.对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为200mJ/cm2和300mJ/cm2,优化结果表明,能量密度分别在400mJ/cm2和600mJ/cm2可实现稳定的剥离.同时对剥离后的InGaN多量子阱 LD结构薄膜进行了解理,SEM观察显示获得的InGaN LD腔面平整光滑.基于这种技术可以获得无蓝宝石衬底的GaN基光电子和电子器件.
Abstract
黎子兰, 胡晓东, 章蓓, 陈科, 聂瑞娟, 张国义. GaN基外延膜的激光剥离和InGaN LD外延膜的解理[J]. 激光技术, 2004, 28(1): 29. 黎子兰, 胡晓东, 章蓓, 陈科, 聂瑞娟, 张国义. Thin film GaN-based membranes by laser lift-off and cleaved InGaN LD facet[J]. Laser Technology, 2004, 28(1): 29.