激光技术, 2004, 28 (1): 29, 网络出版: 2007-09-18   

GaN基外延膜的激光剥离和InGaN LD外延膜的解理

Thin film GaN-based membranes by laser lift-off and cleaved InGaN LD facet
作者单位
1 北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
2 北京大学,宽禁带半导体研究中心,北京,100871
摘要
利用波长为248nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离.对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜(3μm)和InGaN LD外延膜(5μm)实现了大面积剥离.对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为200mJ/cm2和300mJ/cm2,优化结果表明,能量密度分别在400mJ/cm2和600mJ/cm2可实现稳定的剥离.同时对剥离后的InGaN多量子阱 LD结构薄膜进行了解理,SEM观察显示获得的InGaN LD腔面平整光滑.基于这种技术可以获得无蓝宝石衬底的GaN基光电子和电子器件.
Abstract

黎子兰, 胡晓东, 章蓓, 陈科, 聂瑞娟, 张国义. GaN基外延膜的激光剥离和InGaN LD外延膜的解理[J]. 激光技术, 2004, 28(1): 29. 黎子兰, 胡晓东, 章蓓, 陈科, 聂瑞娟, 张国义. Thin film GaN-based membranes by laser lift-off and cleaved InGaN LD facet[J]. Laser Technology, 2004, 28(1): 29.

本文已被 1 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!