红外与激光工程, 2007, 36 (2): 147, 网络出版: 2007-09-18
窄线宽半导体激光器件
Narrow linewidth semiconductor laser diodes
摘要
分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求.根据C.H.Henry于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽.同时,空间烧孔现象也可限制DFB半导体激光器的线宽,为此需要合理设计光栅结构.在此基础上,DFB激光器的线宽能达到几十千赫兹的量级.此外,采用DBR结构或者外腔结构,也可以获得相当窄的线宽.
Abstract
罗毅, 黄缙, 孙长征. 窄线宽半导体激光器件[J]. 红外与激光工程, 2007, 36(2): 147. 罗毅, 黄缙, 孙长征. Narrow linewidth semiconductor laser diodes[J]. Infrared and Laser Engineering, 2007, 36(2): 147.
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