光子学报, 2003, 32 (2): 195, 网络出版: 2007-09-18   

硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长

The Quick Deposition of Silica Thick Films on Silicon
作者单位
吉林大学电子系光电子国家重点实验室,长春市,130023
摘要
采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO2 厚膜材料,材料膜厚达到40 μm以上,生长速率达8 μm/min.然后将该材料分别在真空中/空气气氛中高温致密化处理,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜材料.并利用XRD、电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行了测试分析.
Abstract

吴远大, 张乐天, 邢华, 李爱武, 郑伟, 刘国范, 张玉书. 硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长[J]. 光子学报, 2003, 32(2): 195. 吴远大, 张乐天, 邢华, 李爱武, 郑伟, 刘国范, 张玉书. The Quick Deposition of Silica Thick Films on Silicon[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2003, 32(2): 195.

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