光子学报, 2003, 32 (8): 928, 网络出版: 2007-09-18   

栅极和阴极的相对高度对电子传输比的影响

The Influence of Relative Height Between Cathode and Gate on Electron Transmission Efficiency
田进寿 1,2,3李冀 2李岩 1,2牛憨笨 1,2
作者单位
1 中国科学院西安光学精密机械研究所,陕西,西安,710068
2 深圳大学光电子学研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,广东,深圳,518060
3 中国科学院研究生院,北京,100864
摘要
用边界元法(BEM)和Monte Carlo方法,对一种基于碳纳米管场发射大面积彩色平面型显示器的电子传输比进行了理论分析,通过模拟跟踪发射电子轨迹,证实改变阴极和栅极的相对高度,可以较大幅度地提高电子传输比.阳极上电子的分布证实,我们设计的显示器结构能够满足高分辨率、高亮度的显示的要求,而且驱动电压低,工艺简单.
Abstract

田进寿, 李冀, 李岩, 牛憨笨. 栅极和阴极的相对高度对电子传输比的影响[J]. 光子学报, 2003, 32(8): 928. 田进寿, 李冀, 李岩, 牛憨笨. The Influence of Relative Height Between Cathode and Gate on Electron Transmission Efficiency[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2003, 32(8): 928.

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