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自集成透镜InGaAsP/InPDHLED及其离子束铣技术

A novel integral lensed InGaAsP/InP DH LED and ion-beam milling technigue

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摘要

本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。

Abstract

We report the results of fabrication of integral lensed GaInAsP LED by using ion-beam milling technigue firstty in China. Baking a positive acting photoresist layer was found to facilitate a very reproducible method of forming a spherical mask suitable for ion-beam milling. Characteristics of Ar ion-beam milling of InP and mask was studied, and milling parameters are optimized for obtaining optically smooth etched surfaces.

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补充资料

所属栏目:集成光学

收稿日期:1990-05-02

修改稿日期:1990-06-01

网络出版日期:--

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肖德元:中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
郭康瑾:中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
付新定:中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
徐少华:中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
方红丽:中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
张坚萍:中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
陈启玙:中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050
陈瑞璋:中国科学院上海冶金研究所, 上海 200050

引用该论文

肖德元,郭康瑾,付新定,徐少华,方红丽,张坚萍,陈启玙,陈瑞璋. A novel integral lensed InGaAsP/InP DH LED and ion-beam milling technigue[J]. Acta Optica Sinica, 1991, 11(1): 71-77

肖德元,郭康瑾,付新定,徐少华,方红丽,张坚萍,陈启玙,陈瑞璋. 自集成透镜InGaAsP/InPDHLED及其离子束铣技术[J]. 光学学报, 1991, 11(1): 71-77

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