光学 精密工程, 2008, 16 (3): 381, 网络出版: 2008-07-08
离子辅助制备碳化硅改性薄膜
Si modified coating on SiC substrate by ion beam assisted deposition
摘要
介绍了一种利用霍尔型离子源辅助电子束蒸发,在反应烧结碳化硅(RB-SiC)材料上制备硅改性薄膜的方法,研究了不同沉积速率下薄膜改性后的抛光效果.对样品进行了表面散射及反射的测量.通过样品的显微照片可知,硅膜层在沉积速率增大的条件下结构趋于疏松.在精细抛光镀制有硅改性薄膜的反应烧结碳化硅样品后,表面散射系数减小到1.46%,反射率接近抛光良好的微晶玻璃.温度冲击实验和表面拉力实验表明:硅膜无龟裂和脱落,性质稳定,与碳化硅基底结合良好.
Abstract
陈红, 高劲松, 宋琦, 王彤彤, 申振峰, 王笑夷, 郑宣鸣, 范镝. 离子辅助制备碳化硅改性薄膜[J]. 光学 精密工程, 2008, 16(3): 381. 陈红, 高劲松, 宋琦, 王彤彤, 申振峰, 王笑夷, 郑宣鸣, 范镝. Si modified coating on SiC substrate by ion beam assisted deposition[J]. Optics and Precision Engineering, 2008, 16(3): 381.