光子学报, 2007, 36 (12): 2235, 网络出版: 2008-07-08
AlGaN/GaN抛物量子点的尺寸相关三阶非线性极化率研究
Size-dependent Third-order Nonlinear Susceptibility of Parabolic AlGaN/GaN Quantum Dots
摘要
在有效质量近似框架下,通过求解AlxGa1-xN/GaN自组织圆柱形量子点的薛定谔方程,计算了量子点中导带电子在两个正交方向:Z‖和Z⊥方向上产生的三阶非线性极化率.计算中,电子的运动受到自组织量子点的抛物型束缚势和内建压电场的影响.计算表明,量子点的三阶非线性极化率的数量级达到了10-14m2/V2.进一步在Z‖和Z⊥方向上,考察了三阶非线性极化率与两个方向上的抛物束缚势的频率ωp、ωz,量子点的高度L,半径R,Al的含量x之间的关系.
Abstract
桂周琦, 熊贵光, 张熙. AlGaN/GaN抛物量子点的尺寸相关三阶非线性极化率研究[J]. 光子学报, 2007, 36(12): 2235. 桂周琦, 熊贵光, 张熙. Size-dependent Third-order Nonlinear Susceptibility of Parabolic AlGaN/GaN Quantum Dots[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2007, 36(12): 2235.
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