光学仪器, 2006, 28 (4): 79, 网络出版: 2008-08-12
低压反应离子镀制备Ge1-xCx薄膜的硬度研究
Study hardness of Ge1-xCx coatings prepared by RLVIP Technique
摘要
应用低压反应离子镀的薄膜制备方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜,随着沉积速度在0.1nm/s～0.9nm/s之间变化,Ge1-xCx薄膜的硬度在2.12 GPa～11.066 GPa之间可变,当沉积速率为0.9nm/s时,Ge1-xCx薄膜最大硬度为11.066 GPa.XRD测试结果表明,沉积的Ge1-xCx薄膜均为无定形结构.对薄膜稳定性和牢固度的测试表明,制备的Ge1-xCx薄膜在具有较高的硬度的同时,也有良好的性能.
Abstract
王彤彤, 高劲松, 王笑夷, 宋琦, 陈红, 郑宣明, 申振峰, 单兆会, 凌伟. 低压反应离子镀制备Ge1-xCx薄膜的硬度研究[J]. 光学仪器, 2006, 28(4): 79. 王彤彤, 高劲松, 王笑夷, 宋琦, 陈红, 郑宣明, 申振峰, 单兆会, 凌伟. Study hardness of Ge1-xCx coatings prepared by RLVIP Technique[J]. Optical Instruments, 2006, 28(4): 79.
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