光学 精密工程, 2008, 16 (4): 565, 网络出版: 2008-08-17
RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱
X-ray photoelectron spectroscopy of Ge1-xCx thin films prepared by RLVIP technique
摘要
应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Get1-xCx薄膜.制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了C含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜.X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构.用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ce1-xCx薄膜中C的化学键合变化.研究结果表明;当x>0.78时,成键为C-H键;当x为0.53～0.62时,成键为C-C键;当x<0.47时,成键为Ge-C键.
Abstract
作者简介：通讯作者:高劲松(1968-),男,吉林白城人,研究员,主要研究方向为光学薄膜的前沿研究以及特种光学薄膜.E-mail:gaojs@ciomp.ac.cn
王彤彤, 高劲松, 宋琦, 王笑夷, 陈红, 郑宣鸣, 申振峰. RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱[J]. 光学 精密工程, 2008, 16(4): 565. 王彤彤, 高劲松, 宋琦, 王笑夷, 陈红, 郑宣鸣, 申振峰. X-ray photoelectron spectroscopy of Ge1-xCx thin films prepared by RLVIP technique[J]. Optics and Precision Engineering, 2008, 16(4): 565.
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