红外与激光工程, 2007, 36 (6): 928, 网络出版: 2008-08-17
高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能
Fabrication and characterization of back-illuminated GaN/A1GaN p-i-n UV detectors with high performance
摘要
研究了GaN/AlGaN异质结背照式P-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.GaN/MGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AiN,n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7形成窗口层,i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN,P型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN.采用C12、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3cm2.可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310-365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2,对应的探测率D*=2.31×1013·Hz1/2·W-1;且零偏压下的暗电流为5.20×10-13A.
Abstract
作者简介：龚海梅(1965-),男,江苏宿迁人,研究员,博士,主要从事航天遥感红外光电传感器的研制,以及红外、紫外焦平面等新型探测器组件及其抗辐射机理与可靠性技术研究.Email:ghmhxnk@online.sh.cn
陈亮, 张燕, 陈俊, 郭丽伟, 李向阳, 龚海梅. 高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能[J]. 红外与激光工程, 2007, 36(6): 928. 陈亮, 张燕, 陈俊, 郭丽伟, 李向阳, 龚海梅. Fabrication and characterization of back-illuminated GaN/A1GaN p-i-n UV detectors with high performance[J]. Infrared and Laser Engineering, 2007, 36(6): 928.
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