红外与激光工程, 2008, 37 (2): 270, 网络出版: 2008-08-17
GaN基紫外探测器的电子辐照效应
Effect of electron irradiation on the GaN-based p-i-n UV detector
摘要
用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰.制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量C-V曲线计算得到SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加.制备了GaN基p-im结构可见盲正照射紫外探测器并进行电子辐照,测量了辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线.实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5x1016n/cm2时才使器件的暗电流增大一个数量级.辐照前后器件的光谱响应曲线表明,电子辐照对器件的响应率没有产生明显的影响.利用GaN材料和MIS结构的辐照效应分析了器件的辐照失效机理.
Abstract
白云, 邵秀梅, 陈亮, 张燕, 李向阳, 龚海梅. GaN基紫外探测器的电子辐照效应[J]. 红外与激光工程, 2008, 37(2): 270. 白云, 邵秀梅, 陈亮, 张燕, 李向阳, 龚海梅. Effect of electron irradiation on the GaN-based p-i-n UV detector[J]. Infrared and Laser Engineering, 2008, 37(2): 270.
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