原子与分子物理学报, 2008, 25 (2): 313, 网络出版: 2008-08-17  

半导体桥等离子体温度的原子发射光谱法测量

Measurement of semiconductor bridge plasma temperature using spectroscopic method
作者单位
南京理工大学化工学院,南京,210094
摘要
半导体桥生成的等离子体由于温度高、尺度小、持续时间短等特点,对其温度的瞬态测量是个难题.本文采用高速数字存贮示波器应用原子发射光谱双谱线法对半导体桥等离子体温度进行了实时瞬态测量,并对在22μF电容下不同充电电压对半导体桥等离子体温度的影响进行了系统的研究,得到了22μF电容下等离子体最高温度与充电电压的关系式Tmax=700.6+115.2U.
Abstract

张文超, 周彬, 王文, 秦志春, 张琳, 叶家海, 田桂蓉. 半导体桥等离子体温度的原子发射光谱法测量[J]. 原子与分子物理学报, 2008, 25(2): 313. 张文超, 周彬, 王文, 秦志春, 张琳, 叶家海, 田桂蓉. Measurement of semiconductor bridge plasma temperature using spectroscopic method[J]. Journal of Atomic and Molecular Physics, 2008, 25(2): 313.

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