光学学报, 2014, 34 (s1): s104001, 网络出版: 2014-08-18   

金属-半导体-金属结构AlGaN/GaN异质结紫外探测器技术及特性

Technology and Performance of Metal-Semiconductor-Metal AlGaN/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetector
作者单位
1 中国电子科技集团公司第四十一研究所, 山东 青岛 266555
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州 215123
3 中国科学院纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
4 电子测试技术重点实验室, 山东 青岛 266555
摘要
制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器,探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I-V特性。此探测器具有两个光谱响应范围,光谱响应的峰值响应率分别为288 nm处0.717 A/W 和366 nm处0.641 A/W,峰值处的量子效率分别为288 nm处308% 和366 nm处217%。
Abstract
AlGaN/GaN heterostructure metal-semiconductor-metal (MSM) structure ultraviolet (UV) photodetector with Ni/Au electrodes is fabricated. Opto-electrical characteristics and current-voltage characteristics of the detector are investigated. It is found that the detector has two spectral response ranges. The peak response is 0.717 A/W at 288 nm and 0.641 A/W at 366 nm. The quantum efficiency is 308% at 288 nm and 217% at 366 nm.

杨乐臣, 付凯, 史学舜, 陈坤峰, 李立功, 张宝顺. 金属-半导体-金属结构AlGaN/GaN异质结紫外探测器技术及特性[J]. 光学学报, 2014, 34(s1): s104001. Yang Lechen, Fu Kai, Shi Xueshun, Chen Kunfeng, Li Ligong, Zhang Baoshun. Technology and Performance of Metal-Semiconductor-Metal AlGaN/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetector[J]. Acta Optica Sinica, 2014, 34(s1): s104001.

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