液晶与显示, 2009, 24 (3): 340, 网络出版: 2010-01-22  

耦合ZnO/MgxZn1-xO量子点中的激子态和带间光跃迁

Exciton States and Interband Transitions in Wurtzite ZnO/MgxZn1-xO Coupled Quantum Dots
作者单位
河南师范大学 物理与信息工程学院,河南 新乡 453007
摘要
在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化。结果表明:激子结合能、带间光跃迁能和电子-空穴复合率随量子点高度或势垒层厚度的增加而降低。
Abstract
Within the framework of the effective-mass approximation,this paper presents a three-dimensional study of the exciton in ZnO/MgxZn1-xO vertically coupled quantum dots (QDs) by a variational approach.The strong built-in electric field due to the piezoelectricity and spontaneous polarization is considered.Our numerical results show that the exciton binding energy,the QD transition energy and the electron-hole recombination rate are reduced monotonically when the dot height and the barrier thickness between the coupled wurtzite ZnO QDs are increased.

危书义, 卫国红, 孙永灿, 赵建华. 耦合ZnO/MgxZn1-xO量子点中的激子态和带间光跃迁[J]. 液晶与显示, 2009, 24(3): 340. WEI Shu-yi, WEI Guo-hong, SUN Yong-can, ZHAO Jian-hua. Exciton States and Interband Transitions in Wurtzite ZnO/MgxZn1-xO Coupled Quantum Dots[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2009, 24(3): 340.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!