中国激光, 2010, 37 (9): 2190, 网络出版: 2010-08-19   

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Breakthroughs and Developments of Semiconductor Laser in China
作者单位
中国科学院 半导体研究所 集成光电子国家重点联合实验室,北京 100083
摘要
主要从半导体激光器第一、二、三次飞跃详尽介绍分析了中国半导体激光器的重大突破与发展。
Abstract
Against the background of the first,second and third leaps in the field of semiconductor lasers,a thorough account and analysis is given on the major breakthroughs and developments of the semiconductor lasers in China.

王启明. 中国半导体激光器的历次突破与发展[J]. 中国激光, 2010, 37(9): 2190. Wang Qiming. Breakthroughs and Developments of Semiconductor Laser in China[J]. Chinese Journal of Lasers, 2010, 37(9): 2190.

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