发光学报, 2010, 31 (4): 477, 网络出版: 2010-08-31  

双三角量子阱中不对称性及掺杂浓度对电子拉曼散射的影响

Impact of Asymmetry and Doping Density on Electron Raman Scattering in Triangular Double Quantum Wells
作者单位
广州大学 物理与电子工程学院, 广东 广州510006
摘要
在有效质量近似下, 从理论上研究了非对称双三角量子阱的拉曼散射。推导了导带子带间电子跃迁的微分散射截面表达式, 以GaAs/AlxGa1-xAs材料为例进行了数值计算。结果表明, 散射光谱不仅与掺杂浓度有关, 而且与双量子阱的不对称性有关, 随着量子阱不对称性的增加或掺杂浓度的减少, 散射峰发生了红移。本工作对设计新型微电子和光电子器件有一定的指导意义。
Abstract
Electron Raman scattering (ERS) is investigated theoretically in asymmetric triangular double quantum wells (ATDQWs) within the framework of effective-mass approximation. The differential cross-section (DCS) is derived. Numerical calculations are performed for GaAs/AlxGa1-xAs ATDQWs. Results show that the ERS spectrum depends not only on the doping content but also on the asymmetry of ATDQWs. The spectrum yields a red shift with increasing the asymmetry of quantum wells or decreasing the Al doping content.

谷冬霞, 刘翠红, 郭正丽, 卢发. 双三角量子阱中不对称性及掺杂浓度对电子拉曼散射的影响[J]. 发光学报, 2010, 31(4): 477. GU Dong-xia, LIU Cui-hong, GUO Zheng-li, LU Fa. Impact of Asymmetry and Doping Density on Electron Raman Scattering in Triangular Double Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2010, 31(4): 477.

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