激光与光电子学进展, 2010, 47 (10): 101402, 网络出版: 2010-09-13   

高亮度窄线宽的激光二极管阵列研究进展

Progress of High-Brightness and Linewidth-Narrowed Laser Diode Bar
作者单位
1 江南大学理学院, 江苏 无锡 214122
2 中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光技术与应用系统实验室, 上海 201800
摘要
阐述了高亮度、窄线宽的激光二极管阵列研究进展。重点介绍了外腔反馈技术在改善激光二极管阵列的线宽和激光亮度中的应用,这些技术包括利特罗(littrow)外腔反馈技术,光谱组束技术,离轴外腔反馈技术,离轴外塔尔博特(Talbot)腔技术。
Abstract
The progress of high brightness, linewidth-narrowed laser diode bar is demonstrated in detail. Popular techniques used to improve the brightness and reduce the linewidth of laser diode bar are introudced in detail. These techniques include Littrow external cavity feedback technique, spectrum beam combination, and off-axis external cavity feedback technique, off-axis external Talbot cavity technique.

苏宙平, 周军, 楼祺洪. 高亮度窄线宽的激光二极管阵列研究进展[J]. 激光与光电子学进展, 2010, 47(10): 101402. Su Zhouping, Zhou Jun, Lou Qihong. Progress of High-Brightness and Linewidth-Narrowed Laser Diode Bar[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2010, 47(10): 101402.

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