激光与光电子学进展, 2011, 48 (6): 060401, 网络出版: 2011-05-09   

弱p型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器

Slight p-Type HgCdTe and Trapping-Mode Photoconductive HgCdTe Detectors
作者单位
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
摘要
窄禁带碲镉汞(HgCdTe)为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法区分迁移率较低性能较差的n型材料和p型材料。通过变温变磁场的霍尔测试对两种碲镉汞材料的磁输运特性进行了测试区分。另外对由弱p型材料制备的陷阱模式光导器件的工作机理进行了初步分析,解释了这种器件相对于传统器件所表现出的独特优势。
Abstract
Very-narrow-gap bulk-grown HgCdTe single crystals are multicarrier semiconductor system material, since the multiple electrons and holes species frequently contribute to the conduction. Especially for the slight p-type HgCdTe single crystals, the conventional measurements of a single magnetic field can lead to erroneous conclusions because of the large ratio of the electron mobility to hole mobility. The n-type crystals with poor mobility and slight p-type crystals with excellent electrical properties cannot be distinguished by the conventional single-field data. Variable-magnetic-field Hall measurements are performed on bulk-grown HgCdTe single crystals at various temperatures. From the results, the variable-magnetic-field Hall measurements are found to be a suitable tool for differentiation electrical characterization of the two type HgCdTe single crystals. The operating principle of the trapping-mode photoconductive HgCdTe detectors is investigated.

张可锋, 林杏潮, 张莉萍, 王仍, 焦翠灵, 陆液, 王妮丽, 李向阳. 弱p型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器[J]. 激光与光电子学进展, 2011, 48(6): 060401. Zhang Kefeng, Lin Xingchao, Zhang Liping, Wang Reng, Jiao Cuiling, Lu Ye, Wang Nili, Li Xiangyang. Slight p-Type HgCdTe and Trapping-Mode Photoconductive HgCdTe Detectors[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2011, 48(6): 060401.

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