强激光与粒子束, 2011, 23 (8): 2065, 网络出版: 2011-09-20   

激光二极管侧面泵浦高功率266 nm紫外激光器

Laser diode-side-pumped high power 266 nm ultraviolet lase
作者单位
天津大学 精密仪器与光电子工程学院, 光电信息教育部重点实验室, 天津 300072
摘要
报道了一种半导体激光列阵侧面泵浦Nd:YAG四倍频266 nm全固态紫外激光器,采用Z型腔结构,Ⅰ类临界相位匹配LBO和BBO晶体分别作为二倍频晶体和四倍频晶体。在调制频率为5 kHz时,最终获得了2.1 W的266 nm紫外激光输出,单脉冲能量420 μJ, 绿光到紫外激光的转换率为13.13%,在相同的泵浦功率下利用V型腔结构仅获得305 mW的266 nm紫外激光输出。
Abstract
An all-solid-state laser diode(LD)-side-pumped Nd:YAG ultraviolet(UV) laser at 266 nm is reported, which is based on fourth harmonic generation and adopts zigzag cavity structure. The type-Ⅰ critical phase matched LBO and BBO crystals are used as the second harmonic and fourth harmonic generation crystals, respectively, and 2.1 W UV laser of 266 nm with single pulse energy of 420 μJ is obtained at the pulse repetition rate of 5 kHz with the conversion efficiency of 13.13% from green to ultraviolet light. With V-shaped cavity configuration, only 305 mW 266 nm UV laser is obtained under the same condition.

李斌, 姚建铨, 丁欣, 张帆, 王鹏. 激光二极管侧面泵浦高功率266 nm紫外激光器[J]. 强激光与粒子束, 2011, 23(8): 2065. rLi Bin, Yao Jianquan, Ding Xin, Zhang Fan, Wang Peng. Laser diode-side-pumped high power 266 nm ultraviolet lase[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2011, 23(8): 2065.

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