半导体光电, 2011, 32 (3): 331, 网络出版: 2012-01-04   

功率型发光二极管的寿命与失效分析

Analysis of the Degradation of High Power Light Emitting Diode
作者单位
1 清华大学深圳研究生院 半导体照明实验室, 广东 深圳 518055
2 上海飞机设计研究院, 上海 200235
3 山东省肿瘤医院, 济南 250001
摘要
可靠性是影响发光二极管应用的一个重要因素。对1W大功率发光二极管分批在不同电流及不同结温下进行试验,分析了电流和结温对功率型发光二极管寿命的影响,应用应力加速模型推测在不同电流或结温条件下发光二极管的寿命,同时研究了试验过程中发光二极管的光电性能的变化,探索其失效机理,为功率型发光二极管的应用提供参考。
Abstract
Reliability plays an important role in the application of light emitting diode. Two life tests are conducted to compare the respective effects of drive current and junction temperature on the lifetime of 1W power LED. Currentaccelerated prediction and temperatureaccelerated prediction models are introduced to predict the lifetime under other conditions with different drive current or junction temperature. The variation of the photoelectric properties through the experiment is analyzed to find the mechanism of degradation. These results can be reviewed in the application of LED.

钱可元, 刘洪涛, 纪春绍. 功率型发光二极管的寿命与失效分析[J]. 半导体光电, 2011, 32(3): 331. QIAN Keyuan, LIU Hongtao, JI Chunshao. Analysis of the Degradation of High Power Light Emitting Diode[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2011, 32(3): 331.

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