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808 nm大功率半导体激光器寿命实验

Lifetime Test of 808 nm High Power Laser Diodes

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摘要

为获得808 nm单巴条(bar)大功率半导体激光器寿命指标,研制了10工位大功率半导体激光器寿命实验在线监测系统,完成了3组寿命评价实验,这3组实验条件分别为温度25 ℃、电流100 A,温度50 ℃、电流100 A,温度50 ℃、电流115 A。采用线性回归分析、最小二乘法原理及拟合优度检验等统计学相关知识,获得了单bar大功率半导体激光器的功率退化模型,基此确定大功率半导体激光器的外推寿命为2.86×109次脉冲次数。同传统加速寿命评价实验方法相比,基于参数退化模型的寿命外推方法具有寿命评价时间短、准确性高的优点。

Abstract

In order to obtain the lifetime index of the single-bar 808 nm high power semicondutor laser, an on-line monitoring system under ten workspaces is set up. Subsequent lifetime tests are completed. The conditions of these tests are 25 ℃,100 A, 50 ℃,100 A and 50 ℃, 115 A, respectively. According to the linear regression analysis, the method of least squares, goodness-of-fit test and other statistical knowledge, the power degradation model is obtained. Based on this degradation model the extrapolated lifetime of cm-bars at 25 ℃ is 2.86×109 shots. This lifetime extrapolative method based on the parameter degradation model has some advantages such as short experiment time and high veracity than other traditional accelerated aging test methods.

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补充资料

中图分类号:TN248.4

DOI:10.3788/aos201333.s114003

所属栏目:激光器与激光光学

责任编辑:宋梅梅  信息反馈

基金项目:国家重大科学仪器专项项目(2011YQ040077)和国家预先研究项目(51302010309A)资助课题。

收稿日期:2012-12-31

修改稿日期:2013-01-09

网络出版日期:--

作者单位    点击查看

路国光:工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广东 广州 510610
雷志锋:工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广东 广州 510610
黄云恩:工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广东 广州 510610
云飞:工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室, 广东 广州 510610

联系人作者:路国光(luguog@yahoo.com.cn)

备注:路国光(1979—),男,博士,高级工程师,主要从事光电子器件可靠性评价方面的研究。

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引用该论文

Lu Guoguang,Lei Zhifeng,Huang Yun,En Yunfei. Lifetime Test of 808 nm High Power Laser Diodes[J]. Acta Optica Sinica, 2013, 33(s1): s114003

路国光,雷志锋,黄云恩,云飞. 808 nm大功率半导体激光器寿命实验[J]. 光学学报, 2013, 33(s1): s114003

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