激光与光电子学进展, 1988, 25 (4): 43, 网络出版: 2013-07-17
红光半导体激光器
摘要
振荡波长650~690 nm的红光半导体激光器寿命，室温下已超过4000小时，1988年市场上将出现商品。与迄今的半导体激光器相比，波长约短100 nm。用作光盘光源时，记录密度提髙，或使光学系统成本下降。如果代换波长接近633 nm的He-Ne激光，光源则变得小而轻。高功率化的尝试才开始，室温下已得到27 mW的连续输出。在向短波长发展方面，已能在77 Κ和低温下使其在584 nm处连续工作。
Abstract
张荣康. 红光半导体激光器[J]. 激光与光电子学进展, 1988, 25(4): 43. 张荣康. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 1988, 25(4): 43.
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