中国激光, 2014, 41 (11): 1106001, 网络出版: 2014-10-08   

MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究

Optical Characteristics of 1.06 μm InGaAs/GaAs Quantum Well Grown by MOCVD
作者单位
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
摘要
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移。
Abstract
InGaAs/GaAs single quantum well is grown on different misoriented substrates by the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) technology. The samples are characterized by photoluminescence (PL) spectroscopy at room temperature. The effect of offset substrates, growth temperature and V/III ratio of quantum well layer on PL wavelength, intensity and full width at half-maximum (FWHM) has been studied. The samples with smaller offset from GaAs substrates (100) towards <111> show the higher PL intensity with narrower FWHM. The PL intensity increases with lower growth temperature of quantum well. The samples with high V/III ratio show high PL intensity while the PL wavelength exhibits red shift.

刘洋, 李林, 乔忠良, 苑汇帛, 谷雷, 戴银, 李特, 曲轶. MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究[J]. 中国激光, 2014, 41(11): 1106001. Liu Yang, Li Lin, Qiao Zhongliang, Yuan Huibo, Gu Lei, Dai Yin, Li Te, Qu Yi. Optical Characteristics of 1.06 μm InGaAs/GaAs Quantum Well Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Lasers, 2014, 41(11): 1106001.

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