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离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度

Conductivity type conversion in ion-beam-milled HgCdTe

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摘要

用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔, 利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现, 在相同的刻蚀条件下, n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时, n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小;当汞空位浓度一定时, n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加.

Abstract

After different loopholes are produced by Ar+ ion-beam in p-HgCdTe, width of n-type layer has been defined by the electron beam induced current measurement. It can be observed that under the same milling condition, the width of n-type layer depends on both of the mercury vacancy concentration and the volume of the milled-HgCdTe. Further study shows that the width of n-type layer linearly decreases with an increase of the mercury vacancy concentration if volume of the milled-HgCdTe is equal. Meanwhile, the width of n-type layer will linearly increases with volume of the milled-HgCdTe increasing if the mercury vacancy concentration is kept unchanged.

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补充资料

中图分类号:TN213

DOI:10.3724/sp.j.1010.2014.00477

基金项目:国家自然科学基金(11304335)

收稿日期:2013-04-20

修改稿日期:2014-06-30

网络出版日期:--

作者单位    点击查看

徐国庆:中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083中国科学院研究生院, 北京 100049
刘向阳:中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083
王仍:中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083
储开慧:中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083
汤亦聃:中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083
乔辉:中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083
贾嘉:中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083
李向阳:中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200083

联系人作者:徐国庆(xuguoqing@mail.sitp.ac.cn)

备注:徐国庆(1979-),女, 山东聊城人, 副研究员, 博士研究生, 主要研究领域是碲镉汞红外探测器.

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引用该论文

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徐国庆,刘向阳,王仍,储开慧,汤亦聃,乔辉,贾嘉,李向阳. 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度[J]. 红外与毫米波学报, 2014, 33(5): 477-481

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