发光学报, 2015, 36 (1): 1, 网络出版: 2015-01-13   

大功率半导体激光器研究进展

Development of High Power Diode Laser
作者单位
发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
摘要
对半导体激光器的发展历史和发展现状进行了综述, 并具体介绍了长春光学精密机械与物理研究所近年来在大功率半导体激光器方面所取得的主要进展,特别是在大功率半导体激光器的激光光源、垂直腔面发射激光器和新型激光器芯片等方面。
Abstract
This paper reviews on the history and the development status for semiconductor lasers, meanwhile focuses on the high power semiconductor laser achievements acquired by Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics(CIOMP) in recent years, especially at the aspects of high power semiconductor laser sources, vertical cavity surface emitting lasers(VCSEL) and novel laser chips.

王立军, 宁永强, 秦莉, 佟存柱, 陈泳屹. 大功率半导体激光器研究进展[J]. 发光学报, 2015, 36(1): 1. WANG Li-jun, NING Yong-qiang, QIN Li, TONG Cun-zhu, CHEN Yong-yi. Development of High Power Diode Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015, 36(1): 1.

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