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Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能

Growth of Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial crystals and its Raman spectrum

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摘要

采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料, 利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量, 分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化, 利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量, 分析了具有反型层Hg1-xCdxTe薄膜的迁移率谱, 证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.

Abstract

Au-doped Hg1-xCdx Te epitaxial layers were grown by vapor phase epitaxial method. The electrical properties of Hg1-xCdxTe epitaxial layers were investigated by Hall measurement. Profile of Au in Hg1-xCdx Te epitaxial layers was revealed by Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) method. Hall coefficient and Hall mobility of three abnormal P type samples were discussed. Moreover, variable-magnetic-field Hall measurement was performed on Hg1-xCdx Te with antitype epitaxial layer. Mobility spectrum analysis was employed to verify surface electrons, bulk electrons and bulk holes mixed conduction in Hg1-xCdx Te epitaxial layers.

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补充资料

中图分类号:TN213

DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2015.04.009

基金项目:国家自然科学基金(61106097, 61204134, 11304335), 中科院三期创新项目(Q-ZY-87/Q-ZY-88)

收稿日期:2014-06-13

修改稿日期:2015-07-27

网络出版日期:--

作者单位    点击查看

王仍:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
焦翠灵:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
徐国庆:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
张莉萍:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
张可锋:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
陆液:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
杜云辰:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
邵秀华:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
林杏潮:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
李向阳:中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083

联系人作者:王仍(tioaqi1980@163.com)

备注:王仍(1980-), 女, 山东滕州人, 博士, 主要从事Ⅱ-Ⅵ族半导体材料生长研究.

【1】Souza A I D, Stapelbroek M G, Bryan E R. Au- and Cu-doped HgCdTe HDVIP Detectors [J].Proc. of SPIE Vol. 5406, SPIE, Bellingham, WA, 2004.

【2】Mahlein K M, Bauer A. Next generation IR sensor technology for space applications at AIM [J]. Proc. of SPIE,2008, 7106:71061J 2008.

【3】Shin S H, Gertner E R, Pasko J G, et al. Isothermal vapor-phase epitaxy of HgCdTe on CdTe and Al2O3 substrates [J]. J. Appl. Phys. 1985, 57(10): 4721-4726.

【4】Piotrowski J, Djuric Z, Galus W, et al. Composition and thickness control of CdHgTe layers grown by open tube isothermal vapour phase epitaxy[J]. J. Crys. Growth. 1987,83:122-126.

【5】HAN Jin-Liang, Several P-type doping in HgCdTe: First-principles study [D]. Xiangtan University(韩金良. HgCdTe 材料几种P型掺杂的第一性原理研究.湘潭大学) 2009.

【6】QIU Guang-Yin. Study on Fabrication and Properties of P-type doped HgCdTe [D]. Shanghai Institute of Technical Physics(仇光寅, P型掺杂碲镉汞材料的制备及性质研究. 上海技术物理研究所)2013.

【7】WANG Jue. The influence of impurities and defects on physical properties of HgCdTe crystal and the control methods [D]. (王珏. 杂质、缺陷对HgCdTe晶体材料物理性能的影响及控制) 1989.

【8】Chen M C. The temperature dependence of the anomalous Hall effects in p-type HgCdTe [J]. J. Appl. Phys., 1989,65(4):1571-1577.

【9】Aqariden F, Shin H D, Kinch M A, et al. Electrical properties of low-arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy [J]. Appl. Phys. Lett., 2001, 78(22):3481-3483

【10】Lou L F, Frye W H. Hall effect and resistivity in liquid-phase-epitaxial layers of HgCdTe[J]. J. Appl. Phys. 1984, 56(8):2253-2267.

【11】YANG Jian-Rong. Physics and Technology of HgCdTe Materials[M]. National Defense Industry Press.(杨建荣, 碲镉汞材料物理与技术, 国防工业出版社)2012.

【12】ZHANG Ke-Feng, LIN Tie, WANG Ni-Li, et al. Study on P-type HgCdTe single crystals by mobility spectrum analysis [J] J. Infrared Millim. Waves. (张可锋, 林铁, 王妮丽, 等. 利用迁移率谱技术研究P型碲镉汞材料. 红外与毫米波学报) 2011,30(4):301-304.

引用该论文

WANG Reng,JIAO Cui-Ling,XU Guo-Qing,ZHAGN Li-Ping,ZHANG Ke-Feng,YE Lu,DU Yun-Chen,SHAO Xiu-Hua,LIN Xing-Cao,LI Xiang-Yang. Growth of Au-doped Hg1-xCdxTe epitaxial crystals and its Raman spectrum[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015, 34(4): 432-436

王仍,焦翠灵,徐国庆,张莉萍,张可锋,陆液,杜云辰,邵秀华,林杏潮,李向阳. Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能[J]. 红外与毫米波学报, 2015, 34(4): 432-436

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