光学学报, 2015, 35 (s2): s206001, 网络出版: 2015-10-08   

InP基少模半导体激光器

InP-Based Few Lateral-Modes Semiconductor Laser
作者单位
中国科学院半导体研究所材料重点实验室,北京 100083
摘要
针对少模光通信需求,仿真设计并制作了一种基于压应变量子阱结构的少模激光器。通过调整工作电流,该器件可以实现基模和一阶模工作。利用该器件成功激发了少模光纤的LP01模和LP11模。这种器件制作方法简单、成本低、易于集成,可作为少模通信系统的光源,为空分复用系统中发射端的集成化提供了可能。
Abstract
To meet the demand for the few-modes optical communication system, a few-mode semiconductor laser based on the compressive strain quantum well structure in InP/InGaAsP materials is designed and manufactured. The device can work in the fundamental mode and the 1st order lateral mode depending on the injection current level. The LP01 or the LP11 modes of a few mode fiber is successfully excited by the few-modes laser. The device is easy to be implemented with low production costs, which provides a new light source choice for few-modes optical communication system. Also this device gives a possibility to realize the integrated emitter in the space division multiplex system.

张莉萌, 陆丹, 余力强, 潘碧玮, 赵玲娟. InP基少模半导体激光器[J]. 光学学报, 2015, 35(s2): s206001. Zhang Limeng, Lu Dan, Yu Liqiang, Pan Biwei, Zhao Lingjuan. InP-Based Few Lateral-Modes Semiconductor Laser[J]. Acta Optica Sinica, 2015, 35(s2): s206001.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!