激光与光电子学进展, 2015, 52 (10): 100001, 网络出版: 2015-10-08   

扫描干涉场曝光中关键技术的现状与发展趋势 下载: 622次

Status and Development of Scanning Beam Interference Lithography System
作者单位
1 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室, 上海 201800
2 中国科学院大学, 北京 100049
摘要
扫描干涉场曝光(SBIL)在制作大尺寸、纳米精度的衍射光栅中有着独特的优势。为了充分了解SBIL 系统的技术特点,介绍了国内外SBIL 技术的发展现状,并针对SBIL 系统中的各个关键技术进行技术性的调研与总结,着重分析了各关键技术已有解决方法的基本原理、优点以及存在的局限性,结合具体的光栅应用要求,给出了各关键技术的相应具体指标,展望了其发展趋势。
Abstract
Scanning beam interference lithography (SBIL) is advantageous to produce large-area linear diffraction gratings that are phase-accuracy to nanometer level. In order to comprehend the merits of SBIL, the research progress on SBIL both in China and abroad are introduced, and the key technologies in SBIL are summarized from the merits and limitation of the scheme and principle. And then for the application of the specific grating, parameters of the key technologies in SBIL are presented. The development of SBIL is forecasted.

程伟林, 朱菁, 张运波, 曾爱军, 黄惠杰. 扫描干涉场曝光中关键技术的现状与发展趋势[J]. 激光与光电子学进展, 2015, 52(10): 100001. Cheng Weilin, Zhu Jing, Zhang Yunbo, Zeng Aijun, Huang Huijie. Status and Development of Scanning Beam Interference Lithography System[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2015, 52(10): 100001.

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