半导体光电, 2015, 36 (6): 892, 网络出版: 2016-01-22   

黑硅微结构光敏二极管

Black Silicon Microstructure Photodiodes
作者单位
1 海军装备部驻重庆地区军事代表局, 重庆 400060
2 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
摘要
与平面硅相比,黑硅对0.25~2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1064nm波长,探测器红外响应达到0.518A/W,比常规探测器量子效率提高了65%。
Abstract
Black silicon shows higher absorption in 0.25~2.5μm wavelength range as compared to flat silicon. To improve NIR sensitivity and response speed of silicon photodiodes, an metal-assisted chemical etching(MCE)was used to form “black silicon” microstructures on the backside surface of photodiodes. At 1064nm , the photoresponsivity of the photodiodes reaches up to 0.518A/W and the quantum efficiency is 65% higher than that of conventional diodes.

王文革, 李华高, 龙飞, 李睿智, 李平, 张昌丽, 李益. 黑硅微结构光敏二极管[J]. 半导体光电, 2015, 36(6): 892. WANG Wenge, LI Huagao, LONG Fei, LI Ruizhi, LI Ping, ZHANG Changli, LI Yi. Black Silicon Microstructure Photodiodes[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2015, 36(6): 892.

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