强激光与粒子束, 2016, 28 (2): 023004, 网络出版: 2016-03-24   

高功率盒形窗内次级电子倍增效应

Multipactor phenomenon of high-power pill-box window
作者单位
1 湘潭大学 信息工程学院, 湖南 湘潭 411105
2 中国科学院大学, 北京 100149
3 中国科学院 电子学研究所 高功率微波源与技术重点实验室, 北京 100149
摘要
以S波段高功率盒型窗为对象,采用Monte Carlo模拟方法对盒型窗内的次级电子倍增效应进行研究,探索次级电子的倍增规律。模拟得到了盒型窗内TE11模和TM11模共同作用下,两种陶瓷窗片表面次级电子倍增活跃的区域随传输功率的变化特点。在低传输功率下,次级电子仅在未镀膜窗片表面被激励,并以双面倍增的方式在金属法兰与镀膜窗片相对应的区域增长; 在较高的传输功率下,窗片表面的次级电子将以单面倍增的方式活跃在窗片表面与波导口相对的区域。传输功率的升高使得镀膜窗片表面的次级电子倍增活跃区域转移到矩形波导窄边对应的区域,并加剧了未镀膜窗片表面的局部倍增效应。
Abstract
Based on the S-band classical pill-box window, Monte Carlo (MC) numerical simulation was performed to study the multipactor regime. The behavior of the multipactor under multi-mode (TE11 mode and TM11 mode) electric field in the S-band classical pill-box window loaded with 2 distinct window disks was investigated. The characteristics of one-sided multipactor and two-sided multipactor in the pill-box window were analyzed. It was proved that the two-sided multipactor would be excited between the copper wall and the window disk under the effect of TM11 mode in the surface of un-coated window disk when low power was transmitting. In addition, the one-sided multipactor would be apparent in the center of window disk when high power was transmitting.

张雪, 徐强, 王勇, 楚君, 王梦蛟, 段斌. 高功率盒形窗内次级电子倍增效应[J]. 强激光与粒子束, 2016, 28(2): 023004. Zhang Xue, Xu Qiang, Wang Yong, Chu Jun, Wang Mengjiao, Duan Bin. Multipactor phenomenon of high-power pill-box window[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2016, 28(2): 023004.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!