中国激光, 2017, 44 (7): 0703001, 网络出版: 2017-07-05   

过渡金属硫族化合物的制备、特性和光电应用 下载: 1807次

Preparation, Properties and Optoelectronic Applications of Transition Metal Dichalcogenides
谢爽 1,2,*梁涛 1,3马向阳 1,2徐明生 1,4
作者单位
1 浙江大学硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州 310027
2 浙江大学材料科学与工程学院, 浙江 杭州 310027
3 浙江大学高分子科学与工程学系, 浙江 杭州 310027
4 浙江大学信息科学与电子工程学院, 浙江 杭州 310027
摘要
过渡金属硫族化合物(TMD)因其原子层级的厚度和独特的光电性能而受到了广泛的关注和研究。大量文章报道了TMD的可控制备、奇特的光电性能及其在光探测、发光、自旋和能谷电子学等光电子领域的应用。从TMD的材料制备、光电性能及光电应用三个角度对这些工作进行了总结。
Abstract
Due to their atomic-level thickness and unique optoelectronic properties, the transition metal dichalcogenides (TMDs) have been received widespread attention and research. The controllable preparation, novel optoelectronic properties and optoelectronic applications in many fields, such as photodetection, light emission, spin and energy valley electronics of TMD, have been reported widely. From the three perspectives of material preparation, optoelectronic properties and applications of TMD, these works are reviewed.

谢爽, 梁涛, 马向阳, 徐明生. 过渡金属硫族化合物的制备、特性和光电应用[J]. 中国激光, 2017, 44(7): 0703001. Xie Shuang, Liang Tao, Ma Xiangyang, Xu Mingsheng. Preparation, Properties and Optoelectronic Applications of Transition Metal Dichalcogenides[J]. Chinese Journal of Lasers, 2017, 44(7): 0703001.

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