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垂直线不良分析与改善

Analysis and improvement of vertical line mura

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摘要

针对栅极绝缘层和栅极引线接触处形成过孔倒角造成的一种垂直线不良进行分析和改善。研究气相沉积、干法刻蚀和磁控溅射对过孔倒角的影响, 通过扫描电子显微镜对过孔形貌进行表征, 并用成盒检测设备检测不良发生情况。实验结果表明: 通过过孔刻蚀功率、气压、气体流量的变更可以消除倒角现象, 垂直线不良由1.4%降为0.7%。

Abstract

The vertical line mura which was caused by the via hole undercut between gate insulating layer and gate line has been researched. The effect of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), dry etch, sputter on via hole undercut was studied, and via hole morphology was characterized by scanning electron microscopy (SEM), the ratio of vertical line mura was tested by cell test equipment. The via hole undercut can be removed by changing via etch power, pressure, gas flow, and the vertical line was reduced from 1.4% to 0.7%.

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补充资料

中图分类号:TN141.9

DOI:10.3788/yjyxs20173205.0352

所属栏目:材料与器件

收稿日期:2016-05-09

修改稿日期:2016-05-31

网络出版日期:--

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张光明:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176
白金超:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176
曲泓铭:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176
张益存:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176
于 凯:北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176

联系人作者:张光明(zgm20030530225@163.com)

备注:张光明(1983-), 男, 河北唐山人, 硕士研究生, 毕业于北京化工大学, 主要从事TFT-LCD Array工艺和技术方面的工作。

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引用该论文

ZHANG Guang-ming,BAI Jin-chao,QU Hong-ming,ZHANG Yi-cun,YU Kai. Analysis and improvement of vertical line mura[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2017, 32(5): 352-356

张光明,白金超,曲泓铭,张益存,于 凯. 垂直线不良分析与改善[J]. 液晶与显示, 2017, 32(5): 352-356

被引情况

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