红外与激光工程, 2018, 47 (10): 1003004, 网络出版: 2018-11-25  

GaSb基光泵浦半导体碟片激光器的研究进展(特邀)

Research progress of GaSb based optically pumped semiconductor disk lasers(invited)
作者单位
1 中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
摘要
GaSb基光泵浦半导体碟片激光器(OP-SDLs)可以获得高光束质量和高功率的红外激光输出, 是近年来新型中红外激光器件研究领域的热点。文中介绍了GaSb基光泵浦半导体碟片激光器增益芯片的外延结构和工作原理, 综述了2 μm波段GaSb基泵浦半导体碟片激光器的研究进展, 讨论了该类激光器的波长扩展、功率提升、实现窄线宽短脉冲发射和有效热管理关键问题, 评述了性能发展的主要技术方向和应用前景。
Abstract
GaSb based optically pumped semiconductor disk lasers (OP-SDLs) attracts considerable attention in novel mid-infrared laser device research field for their potential excellent beam quality and high output power. The epitaxy structure and basic principle of GaSb based OP-SDLs wafers were summarized. The development of GaSb based OP-SDLs at 2 μm wavelength was reviewed respectively by analyzing the aspects of wavelength extending, power scaling, line-width narrowing, short-pulse generation and effective thermal management. The technical development direction and application prospects of this type of laser were discussed.

尚金铭, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一, 邵福会, 徐应强, 牛智川. GaSb基光泵浦半导体碟片激光器的研究进展(特邀)[J]. 红外与激光工程, 2018, 47(10): 1003004. Shang Jinming, Zhang Yu, Yang Cheng′ao, Xie Shengwen, Huang Shushan, Yuan Ye, Zhang Yi, Shao Fuhui, Xu Yingqiang, Niu Zhichuan. Research progress of GaSb based optically pumped semiconductor disk lasers(invited)[J]. Infrared and Laser Engineering, 2018, 47(10): 1003004.

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